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L. Donetti, C. Sampedro Matarín, F.J. García Ruiz, A. Godoy Medina and F.J. Gamiz Perez,  "A thorough study of Si nanowire FETs with 3D Multi-Subband Ensemble Monte Carlo simulations",  Solid-State Electronics, vol.159 , 19-25, 2019
C. Navarro Moral "Capacitor-less dynamic random access memory based on a III¿V transistor with a gate length of 14 nm",  Nature Electronics, vol.2 , 412-419, 2019
S. Kwon, C. Navarro Moral, F.J. Gamiz Perez, S. Cristoloveanu , P. Galy, M. Choi, Y. Kim and J. Ahn,  "Characteristics of band modulation FET on sub 10 nm SOI",  Japanese Journal of Applied Physics, vol.58 , SBBB07-, 2019
C. Márquez González and C. Navarro Moral,  "Investigation of thin gate-stack Z2-FET devices as capacitor-less memory cells",  Solid-State Electronics, vol.159 , 12-18, 2019
C. Medina Bailón, J.L. Padilla De La Torre, T. Sadi, C. Sampedro Matarín, A. Godoy Medina, L. Donetti, V.P. Georgiev, F.J. Gamiz Perez and A. Asenov,  "Multisubband Ensemble Monte Carlo Analysis of Tunneling Leakage Mechanisms in Ultrascaled FDSOI, DGSOI, and FinFET Devices",  IEEE Transactions on Electron Devices, vol.66 , 1145-1152, 2019
C. Márquez González, C. Navarro Moral, S. Navarro, J.L. Padilla De La Torre, L. Donetti, C. Sampedro Matarín, P. Gally, Y. Kim and F.J. Gamiz Perez,  "On the Low-Frequency Noise Characterization of Z2-FET Devices",  IEEE Access, vol.7 , 42551-42556, 2019
C. Navarro Moral and C. Márquez González,  "Reliability Study of Thin-Oxide Zero-Ionization Zero-Swing FET 1T-DRAM Memory Cell",  IEEE Electron Device Letters, vol.7 , 1084-1087, 2019
C. Navarro Moral, C. Márquez González, S. Navarro Moral, C. Lozano, S. Kwon, Y. Kim and F.J. Gamiz Perez,  "Simulation Perspectives of Sub-1V Single-Supply Z2-FET 1T-DRAM Cells for Low-Power",  IEEE Access, vol.7 , 40279-40284, 2019

Última actualización del SICA: 10/01/2024

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