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Producción científica
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| Publicación | |
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| Título: | GATE LEAKAGE TUNNELING IMPACT ON THE INAS/GASB HETEROJUNCTION ELECTRON-HOLE BILAYER TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| Título de la revista: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| Tipo de aportación: | ARTICULO |
| Número de la revista: | 10 |
| Número de volumen: | 65 |
| Páginas de la publicación: | 4679 - 4686 |
| Año de la publicación: | 2018 |
| Autores: |
JOSÉ LUIS PADILLA DE LA TORRE CRISTINA MEDINA BAILÓN CARLOS MÁRQUEZ GONZÁLEZ CARLOS SAMPEDRO MATARÍN LUCA DONETTI FRANCISCO J GAMIZ PEREZ ADRIAN MIHAI IONESCU |
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