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Producción científica

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Detalles del artículo

Publicación
Título: SIMULATION STUDY OF THE ELECTRON MOBILITY IN FEW-LAYER MOS2 METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Título de la revista: SOLID-STATE ELECTRONICS
Tipo de aportación: ARTICULO
Número de la revista: 3
Número de volumen: 114
Páginas de la publicación: 30 - 34
Año de la publicación: 2015
Autores: JOSÉ MARÍA GONZÁLEZ
FRANCISCO JAVIER GARCÍA RUIZ
ANDRÉS GODOY MEDINA
ENRIQUE GONZÁLEZ MARÍN
FRANCISCO J GAMIZ PEREZ

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