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Publicación | |
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Título: | SIMULATION STUDY OF THE ELECTRON MOBILITY IN FEW-LAYER MOS2 METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
Título de la revista: | SOLID-STATE ELECTRONICS |
Tipo de aportación: | ARTICULO |
Número de la revista: | 3 |
Número de volumen: | 114 |
Páginas de la publicación: | 30 - 34 |
Año de la publicación: | 2015 |
Autores: |
JOSÉ MARÍA GONZÁLEZ FRANCISCO JAVIER GARCÍA RUIZ ANDRÉS GODOY MEDINA ENRIQUE GONZÁLEZ MARÍN FRANCISCO J GAMIZ PEREZ |