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Producción científica

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Detalles de la aportación al congreso

Publicación
Título: BACK-GATE BIASING INFLUENCE ON THE ELECTRON MOBILITY AND THE THRESHOLD VOLTAGE OF ULTRA THIN BOX MULTIGATE MOSFET
Tipo de participación en la aportación: CONGRESO
Nombre del congreso: IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2013
Fecha de celebración del congreso: 09/06/2013
Lugar de celebración del congreso: KYOTO. JAPÓN
Páginas de la publicación: None - None
Año de publicación: 2013
Autores: FRANCISCO JAVIER GARCÍA RUIZ
ENRIQUE GONZÁLEZ MARÍN
ANDRÉS GODOY MEDINA
ISABEL MARIA TIENDA-LUNA
CELSO JESÚS MARTÍNEZ BLANQUE
FRANCISCO J GAMIZ PEREZ

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