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Producción científica
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| Publicación | |
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| Título: | GATE LEAKAGE TUNNELING IMPACT ON THE INAS/GASB HETEROJUNCTION ELECTRON¿HOLE BILAYER TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| Título de la revista: | IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY |
| Tipo de aportación: | ARTICULO |
| Número de volumen: | 6 |
| Páginas de la publicación: | 884 - 892 |
| Año de la publicación: | 2018 |
| Autores: |
SANTIAGO NAVARRO-MORAL LUCA DONETTI CARLOS SAMPEDRO MATARÍN SIEGFRIED KARG HEIKE RIEL FRANCISCO J GAMIZ PEREZ |
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